1. Identificação | |
Tipo de Referência | Resumo em Evento (Conference Proceedings) |
Site | mtc-m16b.sid.inpe.br |
Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
Repositório | sid.inpe.br/mtc-m17@80/2007/07.04.17.35 |
Repositório de Metadados | sid.inpe.br/mtc-m17@80/2007/07.04.17.35.38 |
Última Atualização dos Metadados | 2020:12.27.22.04.03 (UTC) administrator |
Chave Secundária | INPE--PRE/ |
Chave de Citação | AndradaeSilvaLaRo:2007:SpDeRe |
Título | Spin dependent refraction of two dimensional electrons in III-V semiconductor structures |
Ano | 2007 |
Data de Acesso | 18 maio 2024 |
Tipo Secundário | PRE CN |
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2. Contextualização | |
Autor | 1 Andrada e Silva, Erasmo Assumpção de 2 La Rocca, G. C. |
Grupo | 1 LAS-INPE-MCT-BR |
Afiliação | 1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 2 Scuola Normale Superiore |
Nome do Evento | Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 13. |
Localização do Evento | São Paulo, SP |
Data | 01-05 Apr. |
Título do Livro | Abstracts |
Tipo Terciário | Poster Session |
Histórico (UTC) | 2007-07-04 17:35:38 :: simone -> administrator :: 2012-10-23 23:56:20 :: administrator -> simone :: 2013-02-20 15:20:01 :: simone -> administrator :: 2007 2020-12-27 22:04:03 :: administrator -> marciana :: 2007 |
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3. Conteúdo e estrutura | |
É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
Estágio do Conteúdo | concluido |
Transferível | 1 |
Tipo do Conteúdo | External Contribution |
Resumo | There has been an increasing e®ort in the study of di®erent mechanisms for controlling the spin polarization of electric charge carriers in semiconductor nanostructures. For non-magnetic and intrinsic structures, the use of electron simple and double spin dependent refraction has been shown to be very promising [1,2]. However, the studies so far have been limited to simple and phenomenological one band models. Starting from Kane's 8-band kp model for the bulk plus the Dresselhaus term in perturbation theory, we have considered realistic special (i.e. with a hetero-interface within the 2D con¯ned system) III-V semiconductor asymmetric quantum wells and have studied the corresponding spin dependent refraction of the 2D conducting electrons at the interface. We concentrate on the e®ects of beam splitting and negative refraction. Analytical expressions have been obtained for the the beam splitting dependence on the model's main parameters, i.e. the band, e®ective-mass and spin- orbit coupling o®sets at the interface. The possibility of negative refraction in such structures, which exists only in the presence of both Rashba and Dresselhaus spin-orbit couplings, is shown to decrease very rapidly with increasing band or e®ective-mass o®set at the interface. |
Área | FISMAT |
Arranjo | urlib.net > LABAS > Spin dependent refraction... |
Conteúdo da Pasta doc | não têm arquivos |
Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
Conteúdo da Pasta agreement | não têm arquivos |
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4. Condições de acesso e uso | |
Idioma | en |
Grupo de Usuários | administrator simone administrator |
Visibilidade | shown |
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5. Fontes relacionadas | |
Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 |
Acervo Hospedeiro | lcp.inpe.br/ignes/2004/02.12.18.39 cptec.inpe.br/walmeida/2003/04.25.17.12 |
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6. Notas | |
Campos Vazios | archivingpolicy archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination documentstage doi e-mailaddress edition editor electronicmailaddress format identifier isbn issn keywords label lineage mark mirrorrepository nextedition notes numberoffiles numberofvolumes orcid organization pages parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project publisher publisheraddress readergroup readpermission resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark serieseditor session shorttitle size sponsor subject targetfile tertiarymark type url versiontype volume |
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7. Controle da descrição | |
e-Mail (login) | marciana |
atualizar | |
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